Полупроводник
Время релиза.：2022-11-02 19:39
Текущая ситуация:
1) В производстве пластин используется процесс нанесения олова и золота, что приводит к высоким затратам на материалы и оборудование
2) Традиционный трафаретный метод для BGA, нанесение паяльной пасты, загрязнение окружающей среды, многотрафаретный процесс
3) Локализация микросхем памяти и оборудования
Пластина и BGA
Особенности применения:
1) Простой лазерный процесс, низкая стоимость, экологичность и энергосбережение
2) Отсутствие брызг и остатков, не требуется пайка
3) Меньший диаметр шариков <100 мкм. Особенности применения микросхем памяти: локализация, высокая эффективность, низкая стоимость
Пластина, монтаж шариков BGA, микросхема памяти:
1. Диаметр шарика: 0,1 мм - 0,89 мм
2. Шаг: мин = 100 мкм
3. Поверхностный материал: позолоченный, луженый, посеребренный
4. Зазор для пайки: расстояние от центра площадки до края устройства ≥ 1 мм
5. Высота устройства: до 10 мм от обрабатываемой поверхности до верхней поверхности устройства
Предыдущая страница
Следующая страница
Предыдущая страница
Следующая страница
